| Аннотацiя: |
Впервые с помощью методов дифференциально-термического, рентгено-фазового и микроструктурного анализа, а также измерением микротвердости и плотности изучены фазовые равновесия в системе GeTe-Sb[[d]]2[[/d]]Te[[d]]3[[/d]]-Bi[[d]]2[[/d]]Te[[d]]3[[/d]] по политермическим сечениям GeSbBiTe[[d]]4[[/d]]-GeSb[[d]]4[[/d]]Te[[d]]7[[/d]] и GeSbBiTe[[d]]4[[/d]]-Ge[[d]]2[[/d]]Sb[[d]]2[[/d]]Te[[d]]5[[/d]], которые являются квазибинарными и частично квазибинарными разрезами. На основе исходных компонентов в разрезах были определены области твердых растворов. Исследованием температурных зависимостей некоторых электрофизических параметров соединения GeSbBiTe[[d]]4[[/d]] и твердого раствора (GeSb[[d]]4[[/d]]Te[[d]]7[[/d]])[[d]]х[[/d]](GeSbBiTe[[d]]4[[/d]])[[d]]1-х[[/d]] установлено, что сплавы относятся к классу указанных полупроводников с п-типом проводимости. |
