| Аннотацiя: |
При окислении вольфрама ионами O 2 +, анализ рентгеновских фотоэлектронных спектров показал наличие оксидных форм W(IV), W(V), W(VI), которые были заданы в виде гомогенных слоев. Проведена деконволюция серии спектров окисления вольфрама с учетом линии малой интенсивности W 5p 3/2 для повышения качества аппроксимации сложных спектров линии W 4f. Определены дозовые зависимости концентраций оксидов, вычислены толщины оксидных слоев, средняя степень окисления вольфрама и стехиометрия в окисленном слое и на всей анализируемой толщине образца. Количество оксидов и толщина соответствующих слоев монотонно увеличивалось от нуля при увеличении дозы облучения ионами O 2 + c энергией 3 кэВ.
|
