| Аннотацiя: |
Вивчено вплив магнетного поля з індукцією до 14 Тл та опромінення y-квантами з дозами до 2,63х10 y-кв/см2 на електропровідність HK Si1-x (x=0.03) з питомим опором р=0,08+0,025 Омхсм в інтервалі температур 4,2+300 К. Визначено, що опір кристалів слабо змінюється в процесі опромінення, тоді як спостерігаються істотні зміни магнетоопору. Показано, що виявлені зміни магнетоопору пов'язані з виникненням дефектів у процесі опромінення, які зумовлюють делокалізацію носіїв заряду у домішковій зоні кристалу. |
