Сайт бібліотеки  >  Електронний каталог  >  Опис документа

Опис документа

Панасюк М. Р., Вознюк Д. Л., Капустяник В. Б., Турко Б. І., Цибульський В. С., Лубочкова Г. О., Дубов Ю. Г.
Фотоелектричні характеристики гетероструктур ZnO/Si

Вид документа:  Складова частина документа 
Мова:  Українська  Обсяг:  244-247 

Аннотацiя:

Методом ВЧ-магнетронного напилення плівок оксиду цинку на монокристалічні кремнієві підкладки створено фотодіод n-ZnOp-Si. Вперше досліджено фоточутливість такої гетероструктури в широкому діапазоні довжин хвиль - від 500 до 2000 нм. Встановлено, що фотодіод має максимальну чутливість на довжинах хвиль 775+882 нм. Крім цього, виявлений доволі широкий максимум в області довжин хвиль 1400-2000 нм. Це дає підстави стверджувати, що фотодіод, виготовлений на основі структури n-ZnO/p-Si, може бути використаний для детектування фотонів як видимої, так інфрачервоної ділянки спектру.

Є складовою частиною документа Фізика і хімія твердого тіла [Текст] = Physics and chemistry of solid state : науковий журнал. Т. 11. № 1 / Прикарпатський нац. ун-т ім. Василя Стефаника, Фізико- хімічний інститут, Асоціація "Вчені Прикарпаття". — Івано- Франківськ : Плай, 2010.