Сайт бібліотеки  >  Електронний каталог  >  Опис документа

Опис документа

Дружинін А. О., Мар'ямова І. Й., Островський І. П., Ховерко Ю. М., Лях-Кагуй Н. С., Маслюк В. Т., Мегела І. Г.
Вплив електронного опромінення на низькотемпературну провідність легованих ниткоподібних кристалів Si та Si-Ge

Вид документа:  Складова частина документа 
Мова:  Українська  Обсяг:  С. 588-592 
УДК:  621.315.592 

Аннотацiя:

Вивчено вплив електронного опромінення з енергією10 МеВ і флюенсом Ф=1-1017 ел/см2 та 1-1018 ел/см2 на низькотемпературну провідність і магнетоопір НК кремнію і Si1-x (х=0,03) р-типу з концентрацією бору поблизу переходу метал-діелектрик (ПМД). Показано, що опромінення викликає зменьшення провідності досліджених кристалів, особливо при флюенсі Ф=1-10 ел/см. спостерігається кореляція між впливом електронного опромінення на опір та магнетоопір кристалів за гелієвих температур.

Є складовою частиною документа Фізика і хімія твердого тіла [Текст] = Physics and chemistry of solid state : науковий журнал. Т. 11. № 3 / Прикарпатський нац. ун-т ім. Василя Стефаника, Фізико- хімічний інститут, Асоціація "Вчені Прикарпаття". — Івано- Франківськ : Плай, 2010.

Теми документа

• УДК/6 Прикладнi науки. Медицина. Техніка/62 Машинобудування. Технiка в цiлому/621 Загальне машинобудування. Ядерна технiка. Електротехнiка. Машинобудування в цілому/621.3 Електрика. Електротехнiка/621.31 Вироблення, постачання, розподіл та регулювання електричної енергії. Електричнi машини та прилади. Електричні вимірювання. Технічне застосування магнетизму. Технічне застосування електростатики/621.315 Передача електричної енергії. Енергорозподілення та телекомунікаційні лінії. Проарматура. Конструкція, спорудження ліній електропередач/621.315.5 Провідники та напівпровідники залежно від матеріалу виготовлення