Сайт бібліотеки  >  Електронний каталог  >  Опис документа

Опис документа

Межиловська Л. Й, Сташко Н. В., Фреїк Н. Д., Гургула Г. Я.
Точкові дефекти, їх комплекси у легованих Індієм та Оксигеном кристалах ZnSe

Вид документа:  Складова частина документа 
Мова:  Українська  Обсяг:  С. 663-669 
УДК:  535.3,535.5 

Аннотацiя:

Визначено домінуючі точкові дефекти при легуванні кристалів ZnSe Індієм та киснем ZnSe:In, ZnSe:O:In. Розглянуто механізми дефектоутворення з врахуванням того, що донарами є In, а вакансії катіонів утворюють асоціативні комплекси. Розраховано залежності концентрації дефектів, холлівської концентрації носіїв струму від вмісту легуючої домішк In як для стехіометричного цинк селеніду, так і для n- та p-ZnSe. Визначено роль кисню, надлишкового Цинку та коефіцієнтів диспропорціювання зарядових станів точкових дефектів та їх комплексів у формуванні електронної підсистеми кристалів цинк селеніду та реалізації у них термодинамічних p-n - переходів.

Є складовою частиною документа Фізика і хімія твердого тіла [Текст] = Physics and chemistry of solid state : науковий журнал. Т. 11. № 3 / Прикарпатський нац. ун-т ім. Василя Стефаника, Фізико- хімічний інститут, Асоціація "Вчені Прикарпаття". — Івано- Франківськ : Плай, 2010.

Теми документа

• УДК/5 Математика та природничi науки/53 Фiзика/535 Оптика/535.3 Розповсюдження світлових променів. Відбиття. Заломлення. Поглинання. Випромінювання