Сайт бібліотеки  >  Електронний каталог  >  Опис документа

Опис документа

Павлик Б. В., Дідик Р. І., Шикоряк Й. А., Штабалюк А. П., Кушлик М. О.
Візуалізація результатів взаємодії точкових дефектів з поверхнею кристалів p-Si

Вид документа:  Складова частина документа 
Мова:  Українська  Обсяг:  C. 675-678 
УДК:  621.315.592 

Аннотацiя:

В роботі з використанням оптичної, електронно- та атомносилової мікроскопічних методик досліджувався стан приповерхневого шару кристалів Si(p). Показано, що у протравленому приповерхневому шарі кристалу формуються однотипно орієнтовані кристали мікро- і нанорозмірів. Ефективність таких процесів визначається енергетичним бар'єром для рекомбінацій в кристалах Si(p). Цей висновок зроблено на базі аналізу процесів взаємодії точкових дефектів з дислокаціями та поверхнею зразка. Показано, що рекомбінація вакансій і міжвузлових атомів в приповерхневому шарі супроводжується кластеризацією структурних дефектів та ростом нанокристалів. Це зумовлено гетерними властивостями приповерхневого шару.

Є складовою частиною документа Фізика і хімія твердого тіла [Текст] = Physics and chemistry of solid state : науковий журнал. Т. 11. № 3 / Прикарпатський нац. ун-т ім. Василя Стефаника, Фізико- хімічний інститут, Асоціація "Вчені Прикарпаття". — Івано- Франківськ : Плай, 2010.

Теми документа

• УДК/6 Прикладнi науки. Медицина. Техніка/62 Машинобудування. Технiка в цiлому/621 Загальне машинобудування. Ядерна технiка. Електротехнiка. Машинобудування в цілому/621.3 Електрика. Електротехнiка/621.31 Вироблення, постачання, розподіл та регулювання електричної енергії. Електричнi машини та прилади. Електричні вимірювання. Технічне застосування магнетизму. Технічне застосування електростатики/621.315 Передача електричної енергії. Енергорозподілення та телекомунікаційні лінії. Проарматура. Конструкція, спорудження ліній електропередач/621.315.5 Провідники та напівпровідники залежно від матеріалу виготовлення