Аннотацiя: |
Визначено температурні та концентраційні межі домінування механізмів розсіювання носіїв заряду на вакансіях, коливаннях кристалічної гратки та надомішці для PbTe:Bi у температурному інтервалі 77-300 К. Встановлено характер поведінки рухливості носіїв заряду залежно від вмісту домішки (0,25+1) ат. % ВІ). |