| Аннотацiя: |
Розглянуто механізми самолегування телуром кристалів n-ZnТе та цинком кристалів р-ZnТе. Запропоновано кристалоквазіхімічні формули самолегованих кристалів n-ZnТе:Те та р-ZnТе:Zn. Визначено залежність концентрації домінуючих точкових дефектів, концентрації вільних носіїв та холлівської концентрації носіїв струму від величини відхилення від стехіометричного складу , цинку у вузлах кристалічної гратки , коефіцієнтів диспропорціювання міжвузлових атомів Цинку , а також телуру у вузлах кристалічної гратки. |
