| Аннотацiя: |
Визначено температурні та концентраційні межі домінування механізмів розсіювання носіїв заряду на вакансіях, коливаннях кристалічної гратки та на домішці для PbTe:Sb у високотемпературному інтервалі 300-800 К. Встановлено характер поведінки рухливості носіїв зaряду залежно від вмісту домішки ((1, 1.5 та
2) ат. % Sb). Проведено порівняльний аналіз впливу різних легуючих домішок (Sb, Bi, In) фіксованого вмісту (2 ат. %) на кінетичні явища кристалічного плюмбум телуриду.
|
