| Аннотацiя: |
Проведено модельні розрахунки, що пояснюють температурну залежність концентрації вільних носіїв струму у моносульфіді самарію. Використано модель, у якій враховано наявність в енергетичній структурі кристала мілких донорних рівнів, зумовлених присутністю у кристалічній гратці власних точкових дефектів,
а також f-рівнів атома самарію: основного, першого збудженого, та другого збудженого, який кристалічним полем розщеплюється на п’ять окремих рівнів. Запропонована модель носить універсальний характер і можебути застосовна також для розрахунку параметрів інших властивостей в SmS, зокрема і фазового переходу напівпровідник – метал.
|
