Аннотацiя: |
Запропоновано кристалоквазіхімічні формули, визначено домінуючі точкові дефекти твердих розчинів ZnSexTe1-x для n- та р-типу провідності вихідних бінарних сполук ZnSe і ZnTe. Розраховано залежність концентрації дефектів, вільних носіїв струму та холлівської концентрації від складу твердих розчинів. |