Сайт бібліотеки  >  Електронний каталог  >  Опис документа

Опис документа

Котерлин М. Д., Ясницький Р. Й., Котерлин Г. М., Морохівський Б. С.
Електронні властивості та особливості тонкої структури густини станів CeNi2Si2 з валентно нестабільним Ce

Вид документа:  Складова частина документа 
Мова:  Українська  Обсяг:  С. 876-881 

Аннотацiя:

Для сполуки CeNi2Si2 з валентно нестабільним Се наведені результати аналітичного опису електроопору, термо-ерс та електронної складової теплоємності на основі моделі локальної структури густини станів (ЛСГС), запропонованої нами раніше. Показано, що ЛСГС біля енергії EF при низьких температурах (T < 200 K) добре описується двома піками лоренцівської форми, що слабо розділені і утворюють псевдощілину. В області високих температур (T > 400 K) ця особливість енергетичного спектру трансформується в один пік, суттєво звужений та зміщений до енергій EF. Параметри піків якісно узгоджуються з передбачуваними у ґратковій (низькі температури) та домішковій (високі температури) моделях Андерсона для систем Кондо з сильним орбітальним виродженням f-станів. Виявлено, що для опису транспортних властивостей та електронної складової теплоємності CeNi2Si2 слід використовувати суттєво відмінні моделі спектру елементарних збурень електронної підсистеми.

Є складовою частиною документа Фізика і хімія твердого тіла [Текст] = Physics and chemistry of solid state : науковий журнал. Т. 12. № 4 / Прикарпатський нац. ун-т ім. Василя Стефаника, Фізико- хімічний інститут, Асоціація "Вчені Прикарпаття". — Івано- Франківськ : Плай, 2011.