| Аннотацiя: |
Наведено результати моделювання оригінальних методів формування тривимірних(3В) інтегральних елементів зі структурою «кремній-на-ізоляторі» (КНІ), які за сумісними технологіями виготовлення одночасно можуть бути комбіновані з одно- і/або дворівневими мікропорожнинами під поверхнею кремнієвою пластини. Такі елементи відкривають додаткові можливості для створення нової елементної бази інтегральних схем (ІС), мікросистем та мікролабораторій-на-кристалі. Шляхом моделювання досліджено розподіл електричних полів і напруженостей в приладних 3В КНІ- структурах.
|
