Електронний каталог

  Сайт бібліотеки  >  Електронний каталог  >  Опис документа

Опис документа  

Круковський С. І., Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Мрихін І. О., Михащук О. С.
Електричні властивості подвійних гетероструктур InP/InGaAsP

Вид документа:  Складова частина документа 
Мова:  Українська  Обсяг:  C. 1097-1101 
УДК:  621.315.592 
Аннотацiя: Методом рідинно-фазної епітаксії вирощені подвійні гетеропереходи p +-InP/n- InGaAsP/ n- InP та встановлено взаємозв’язок між технологічними режимами вирощування та їх фізичними властивостями. Показано, що використання цинку в якості легуючої акцепторної домішки InP спричиняє формування дифузійного p-n переходу в шарі n-InGaAsP. Досліджені механізми проходження темнового струму в інтервалі температур 77 – 378 К і встановлено, що при температурах 77-250 К реалізуються тунельні струми при прямих та зворотних напругах зміщення. При температурах Т > 290 К переважає генераційно-рекомбінаційний струм. Показано, що найбільш ймовірною причиною тунельного струму є наявність дислокацій невідповідності в шарі InGaAsP, генерованих в процесі вирощування гетеропереходів.

Є складовою частиною документа Фізика і хімія твердого тіла [Текст] = Physics and chemistry of solid state : науковий журнал. Т. 12. № 4 / Прикарпатський нац. ун-т ім. Василя Стефаника, Фізико- хімічний інститут, Асоціація "Вчені Прикарпаття". — Івано- Франківськ : Плай, 2011.

Теми документа

Український Фондовий Дім Інформаційно-пошукова система
'УФД/Бібліотека'