Електронний каталог

  Сайт бібліотеки  >  Електронний каталог  >  Опис документа

Опис документа  

Будзуляк С. І.
Тензорезистивні ефекти в сильно деформованих кристалах n-Si та n-Ge

Вид документа:  Складова частина документа 
Мова:  Українська  Обсяг:  C. 34-39 
УДК:  621.315.592 
Аннотацiя: Встановлено, що поряд із класичними механізмами перерозподілу електронів між долинами існують додаткові механізми, які пов'язані з радикальною перебудовою зони провідності за рахунок деформаційно- індукованого збільшення ефективної маси електрона. Для сильно легованих кристалів кремнію за умови досягнення переходу метал-ізолятор отримана залежність ефективної маси електрона від одновісного тиску, що знаходиться в повній відповідності з теоретичними розрахунками, а також з експериментальними даними. З’ясовані особливості ударної іонізації станів мілких домішок на ізоляторній стороні деформаційно- індукованого переходу метал-ізолятор для сильно легованих кристалів кремнію й германію n-типу провідності. Виявлено особливості електрофізичних властивостей нейтронно-легованих кристалів кремнію, зумовлених наявністю високотемпературних технологічних термодонорів.

Є складовою частиною документа Фізика і хімія твердого тіла [Текст] = Physics and chemistry of solid state : науковий журнал. Т. 13. № 1 / Прикарпатський нац. ун-т ім. Василя Стефаника, Фізико- хімічний інститут, Асоціація "Вчені Прикарпаття". — Івано- Франківськ : Плай, 2012.

Теми документа

Український Фондовий Дім Інформаційно-пошукова система
'УФД/Бібліотека'