| Аннотацiя: |
У роботі при Т=77,4 К досліджено тензоопір монокристалів n-Si i n-Ge в широкому інтервалі концетрації і механічних напружень та обговорено деякі його особливості, що проявляються на межі виродження електричного газу в цих кристалах. Проведено фізичне обгрунтування одержаних результатів. |