Аннотацiя: |
На основі аналізу фізико-хімічних властивостей розроблені моделі точкових дефектів у легованих перехідними металами (Co. Ni) кристалах цинк селеніді. На основі запропонованих кристалоквазіхімічних формул розраховано залежності концентраці дефектів, вільних носіїв струму, холівської концентрації від вмісту легуючої домішки. |