Сайт бібліотеки  >  Електронний каталог  >  Опис документа

Опис документа

Сеті Ю О., Бойко І. В, Паньків М. В.
Теорія динамічної провідності трибар'єрної резонансно-тунельної структури з двофотонними лазерними переходами

Вид документа:  Складова частина документа 
Мова:  Українська  Обсяг:  С. 7-13 
УДК:  538.915;538.935 

Аннотацiя:

У наближенні ефективних мас та прямокутних потенціальних ям і бар’єрів для електрона, з використанням знайдених розв’язків повного рівняння Шредінгера, розвинена теорія активної динамічної провідності трибар’єрної резонансно-тунельної структури (InGaAs/InAlAs) з різними глибинами потенціальних ям у слабкому електромагнітному полі в одно- та двофотонному наближенні. Показано, що зміною концентрації Ga можна отримати такі геометричні конфігурації наноструктури, як активної зони квантового каскадного лазера, в яких на основі електронних квантових переходів з випромінюванням двох фотонів однакової енергії відбувається зростання інтенсивності лазерного випромінювання. Встановлено, що вклад двофотонних переходів у сумарну величину динамічної провідності складає не менше ніж 37%

Є складовою частиною документа Фізика і хімія твердого тіла [Текст] = Physics and chemistry of solid state : науковий журнал. Т. 16. № 1 / Прикарпатський нац. ун-т ім. Василя Стефаника, Фізико- хімічний інститут, Асоціація "Вчені Прикарпаття". — Івано- Франківськ : Плай, 2015.

Теми документа

• УДК/5 Математика та природничi науки/53 Фiзика/538.9 Фiзика конденсованої матерії (в рiдинному та твердому станi)/538.91 Структури