Сайт бібліотеки  >  Електронний каталог  >  Опис документа

Опис документа

Новосядлий С. П., Луцький І. М.
Шляхи підвищення швидкодії GaAs-полових транзисторів Шотткі (ПТШ) та селективно легованих гетеротранзисторів (СЛГТ) для формування НВЧ-схем

Вид документа:  Складова частина документа 
Мова:  Українська  Обсяг:  С. 413-419 

Аннотацiя:

Немає сумніву, що використання технологій польових транзисторів із зотвором Шотткі на GaAs для формування швидкодіючих ВІС має велику перспективу. Не менші перспективи відкриваються перед унікальною за своїми властивостями СЛГТ – технологією для проектування сучасних ВІС/НВІС. У випадку застосування СЛГТ можна задовільнити 3 головні технологічні критерії: швидкодію, низьку споживану потужність і техноло–гічність процесу виготовлення складних структур ВІС.

Є складовою частиною документа Фізика і хімія твердого тіла [Текст] = Physics and chemistry of solid state : науковий журнал. Т. 16. № 2 / Прикарпатський нац. ун-т ім. Василя Стефаника, Фізико- хімічний інститут, Асоціація "Вчені Прикарпаття". — Івано- Франківськ : Плай, 2015.