Сайт бібліотеки  >  Електронний каталог  >  Опис документа

Опис документа

Новосядлий С. П., Терлецький А. І., Фрик О. Б.
Формування КМОН схем на GaAs з самосуміщеними нітридними та силіцидними затворами

Вид документа:  Складова частина документа 
Мова:  Українська  Обсяг:  С. 420-424 
УДК:  669.27 

Аннотацiя:

Розглянуто особливості технологічних процесів формування n- та p-канальних польових транзисторів Шотткі на р-GaAs із самосуміщеним затвором на основі нітриду або силіциду вольфраму, які можуть бути використані для створення швидкодіючих комплементарних логічних схем. Описано низькотемпературну технологію реактивного осадження нітриду вольфраму методом ВЧ-магнетронного розпилення вольфрамової мішені в азотно-аргоновій плазмі.

Є складовою частиною документа Фізика і хімія твердого тіла [Текст] = System research & information technologies : міжнар. наук.-техн. журнал. № 3 / ННК "Ін-т прикладного систем. аналізу" НТУУ "КПІ" МОН та НАН України. — Івано- Франківськ : Плай, 2015.

Теми документа

• УДК/6 Прикладнi науки. Медицина. Техніка/66 Хiмiчна технологія. Хімічна промисловiсть й споріднені галузі/669 Металургiя/669.2/.8 Кольорова металургія. Кольорові метали/669.2 Кольорові метали загалом/669.24/.29 Різні метали IV, V, VI і VIII груп періодичної системи/669.27 Вольфрам та його сплави