| Аннотацiя: |
Проведене порівняльне дослідження двох методів хімічного полірування підкладок GaAs при застосовуванні однакового травника Br2 + HBr; порівнювались швидкості травлення й морфології поверхні. Виявлено, що при хіміко-динамічному поліруванні зразків GaAs(111) В утворюються численні ямки травлення, які, однак, на поверхні, обробленої методом безконтактного хіміко-механічного полірування не виявляються. Крім того, останній метод, в порівнянні з методом хіміко-динамічного полірування, дозволяє значно підвищити швидкість травлення: тобто, залежно від методу полірування той самий травник поводиться, як селективний або як поліруючий. |
