| Аннотацiя: |
Запропоновано кристалоквазіхімічні формули, визначено домінуючі точкові дефекти твердих розчинів CdxZn1-xТе для n- та р-типу провідності вихідних бінарних сполук CdTe і ZnТе. Розраховано залежність концентрації дефектів, вільних носіїв струму та холлівської концентрації від складу твердих розчинів. |