| Аннотацiя: |
В даній статті проведено аналіз швидкодії біполярних транзисторів на основі гетероструктур AlGaAs/GaAs. Використання гетеропереходу в якості емітерного переходу дозволяє радикально підвищити його швидкодію. Чисельне моделювання швидкодії ГБТ в режимі кільцевого генератора (КГ) як тестової структури, показало, що час затримки БТ з емітером 1х2 мкм може бути знижений до рівня 8 пс при максимальному струму 105 А/см2. Час затримки 24 пс при потужності 9,1 мВт і 17 пс при потужності 40 мВт отримано для ГБТ як з одним, і з двома (емітерним і колекторним) гетеропереходами. |
