Сайт бібліотеки  >  Електронний каталог  >  Опис документа

Опис документа

Ленце А., Леветт Д., Чжан Ц., Майнка К.
Особенности параллельного соединения модулей SiC MOSFET

Вид документа:  Складова частина документа 
Мова:  Російська  Обсяг:  С.42-45 

Аннотацiя:

Пожалуй, самый фундаментальный вопрос, касающийся этой проблемы, заключается в следующем: зачем нужно параллельное соединение модулей? В чем преимущество двух параллельных 200 A ключей перед одним на 400 A: почему бы просто не использовать один 400 А модуль? На коммерческом рынке в классе 1 200 В IGBT модули доступны в различных корпусах и диапазоне токов вплоть до 3 600 А.

Є складовою частиною документа Chip News Украина [Текст] : науч.-техн. журн. № 8 (208). — К. : ЗАО ИГ Сегодня, 2021.