Електронний каталог

  Сайт бібліотеки  >  Електронний каталог  >  Опис документа

Опис документа  

Семенов І.
Новий високовольтний SiC MOSFET YJD212040NCхG1 для високочастотних застосувань великої потужності

Вид документа:  Складова частина документа 
Мова:  Українська  Обсяг:  С. 38 
Аннотацiя: З 2021 року ринок інверторів для сонячних панелей почав стрімко розвиватися, що викликало попит на силові компоненти SiC, які використовуються як ключові елементи перетворювачів енергії. Завдяки високочастотним характеристикам напівпровідникових матеріалів третього покоління частота перемикання перетворювачів може бути збільшена, що оптимізує енергоспоживання та габарити пристроїв.

Є складовою частиною документа Електрик [Електронний ресурс] [Текст] : практ. електротехніка. № 10 (247), жовт. / засновник : ДП "Вид-во Радіоаматор". — Київ : Преса України, 2023.

Український Фондовий Дім Інформаційно-пошукова система
'УФД/Бібліотека'