електронна густина, электронная плотность
Документи:
- Balabai, R.
The First Principal Calculation of The Electronic Structure of The Ge Strained Layers and the Set of Ge Island on (001) Si FiIm [Текст] / R. Balabai, D. Ryabchikov // Фізика і хімія твердого тіла. — 2011. — Т. 12, № 3. — P. 629-632. — Bibliogr: p. 632.
- Ананьїна, О. Ю.
P - V центри в приповерхневих шарах алмазу С(111) [Текст] / О. Ю. Ананьїна, О. В. Северина // Фізика і хімія твердого тіла. — 2016. — Т. 17, № 1. — С. 48-52. — Бібліогр. в кінці ст.
- Гальченко, В. Я.
Синтез вихрострумових перетворювачів з об'ємною структурою системи збудження, що реалізує однорідну чутливість в зоні контролю [Текст] / В. Я. Гальченко, Р. В. Трембовецька, В. В. Тичков // Технічна електродинаміка. — 2021. — № 3, трав.-черв. — С. 10-18. — Бібліогр. в кінці ст.
- Кристалічна та електронна структури твердого розчину заміщення Ti1-xDyxNiSn [Текст] / Ю. В. Стадник, Л. П. Ромака, П. Рогль та ін. // Фізика і хімія твердого тіла. — 2012. — Т. 13, № 1. — C. 180-184. — Бібліогр. в кінці ст.
- Ткачук, О. І.
Остівні одноелектронні стани адсорбційних комплексів Ge на поверхні Si(001)(4x2) [Текст] / О. І. Ткачук, М. І. Теребінська, В. В. Лобанов // Фізика і хімія твердого тіла. — 2015. — Т. 16, № 2. — С. 316-321. — Бібліогр. в кінці ст.
|
