гетероепітаксіальні структури, гетероэпитаксиальные структури
Документи:
- Електричні властивості подвійних гетероструктур InP/InGaAsP [Текст] / С. І. Круковський, А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін та ін. // Фізика і хімія твердого тіла. — 2011. — Т. 12, № 4. — C. 1097-1101. — Бібліогр. в кінці ст.
- Мокляк, В. В.
Особливості кристалічної структури LaGa - заміщених плівок залізо- ітрієвого гранату. Визначення ступеня дефектності [Текст] / В. В. Мокляк // Фізика і хімія твердого тіла. — 2015. — Т. 16, № 1. — С. 68-73. — Бібліогр. в кінці ст.
- Новосядлий, С. П.
Шляхи підвищення швидкодії GaAs-полових транзисторів Шотткі (ПТШ) та селективно легованих гетеротранзисторів (СЛГТ) для формування НВЧ-схем [Текст] / С. П. Новосядлий, І. М. Луцький // Фізика і хімія твердого тіла. — 2015. — Т. 16, № 2. — С. 413-419. — Бібліогр. в кінці ст.
- Конструкторсько-технологічні аспекти формування структур сонячних систем (СЕ) на кремнієвих епітаксійних структурах (КЕС) [Текст] / С. П. Новосядлий, С. М. Марчук, В. М. Варварук, Л. В. Мельник // Фізика і хімія твердого тіла. — 2014. — Т. 15, № 1. — С. 202-205. — Бібліогр. в кінці ст.
- Дослідження ефективності гетерних технологій в структурах арсеніду галію [Текст] / С. П. Новосядлий, С. М. Марчук, Ю. В. Возняк, Т. Р. Сорохтей // Фізика і хімія твердого тіла. — 2012. — Т. 13, № 2. — С. 482-487. — Бібліогр. в кінці ст.
|
