арсенід галію, арсенид галлия
Документи:
- Новосядлий, С. П.
Конструкторсько-технологічний аналіз біполярних транзисторів високої швидкодії на основі структур AIGaAs/GaAs для субмікронних структур великих інтегральних схем [Текст] / С. П. Новосядлий, С. І. Бойко // Фізика і хімія твердого тіла. — 2016. — Т. 17, № 2. — С. 281-285. — Бібліогр. в кінці ст.
- Новосядлий, С. П.
Комп'ютерне моделювання арсенід галієвих супер бета-транзисторів на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий, В. С. Гузік // Фізика і хімія твердого тіла. — 2015. — Т. 16, № 3. — С. 599-605. — Бібліогр. в кінці ст.
- Моделі напівізолюючих шарів арсеніду галію при їх формуванні багатозарядною іонною імплантацією [Текст] / С. П. Новосядлий, С. М. Марчук, В. М. Варварук, Л. В. Мельник // Фізика і хімія твердого тіла. — 2014. — Т. 15, № 4. — С. 872-878. — Бібліогр. в кінці ст.
- Новосядлий, С. П.
Формування КМОН схем на GaAs з самосуміщеними нітридними та силіцидними затворами [Текст] / С. П. Новосядлий, А. І. Терлецький, О. Б. Фрик // Фізика і хімія твердого тіла. — 2015. — Т. 16, № 2. — С. 420-424. — Бібліогр. в кінці ст.
|
